TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，DRAM市场在 2015年第二季受到合约均价大幅衰退约10%的影响，虽然位元产出量持续增加，总产值仍呈现4.8%的季衰退，来到114亿美元。
从技术面观察，DRAMeXchange认为三星的最新制程20nm表现令人惊艳，不仅导入顺利、良率稳定，时程更是大幅领先其竞争对手约半年到一年，持续展现其领导厂商的制程优势。目前三星的20nm较大幅度集中在标准型记忆体以及伺服器记忆体，但很快就会普及到所有的产品类别，在现今跌价的市场中持续带来成本优化的优势。
SK海力士最新制程21nm尚处于最初期的试产阶段，已经递延到第三季底才送交验证的样品，真正大量生产的时序会跟美光的20nm相当接近，落在明年的第一季。而美光集团方面，制程微缩与上季相较未显突破，仍维持在30nm，使得成本压力相较于两家韩商高出许多。
在台系厂商部分，南亚科目前在30nm微缩制程转进速度顺利，预计产出年末将来到60%，营收方面小幅下滑5.1%，20nm制程预计明年下半年新工厂完工后导入量产行列。华亚科由于产品组合多以近期下跌幅度最剧烈的标准型记忆体与伺服器用记忆体为主，加上30nm制程落后于韩系厂商，毛利率从上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。
力晶由于标准型记忆体生产多属代工性质，营收较第一季维持一样衰退，25nm制程方面现已进入试产阶段，如顺利最快明年初可以导入量产。华邦虽无标准型记忆体产品产出，但大容量利基型记忆体市场也陷入杀价竞争的困境，营收衰退8.5%左右，获利也小幅下滑至11.2%。
关键字：DRAM
引用地址：2015年第二季DRAM位元产出量增、产值衰退
在淡季影响下，各DRAM厂第二季营收都呈现衰退走势，然而由于制程持续转进，毛利并未大幅缩减，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%，因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几季；在需求端如笔电与智慧型手机领域持续疲弱，但供给端来自20nm/21nm的比例将持续提升，DRAMeXchange预期未来DRAM价格的跌幅恐怕持续。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，三星与SK海力士在全球第二季DRAM厂自有品牌记忆体市占率各为45.1%以及27.7%，稳定盘据全球超过七成的供给比例。美光半导体约为20.6%，主要衰退除了来自于跌价损失外，位元供给未现成长也是原因之一。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，三星与SK海力士在全球第二季DRAM厂自有品牌记忆体市占率各为45.1%以及27.7%，稳定盘据全球超过七成的供给比例。美光半导体约为20.6%，主要衰退除了来自于跌价损失外，位元供给未现成长也是原因之一。
第二季DRAM厂商营收排行
从技术面观察，DRAMeXchange认为三星的最新制程20nm表现令人惊艳，不仅导入顺利、良率稳定，时程更是大幅领先其竞争对手约半年到一年，持续展现其领导厂商的制程优势。目前三星的20nm较大幅度集中在标准型记忆体以及伺服器记忆体，但很快就会普及到所有的产品类别，在现今跌价的市场中持续带来成本优化的优势。
SK海力士最新制程21nm尚处于最初期的试产阶段，已经递延到第三季底才送交验证的样品，真正大量生产的时序会跟美光的20nm相当接近，落在明年的第一季。而美光集团方面，制程微缩与上季相较未显突破，仍维持在30nm，使得成本压力相较于两家韩商高出许多。
在台系厂商部分，南亚科目前在30nm微缩制程转进速度顺利，预计产出年末将来到60%，营收方面小幅下滑5.1%，20nm制程预计明年下半年新工厂完工后导入量产行列。华亚科由于产品组合多以近期下跌幅度最剧烈的标准型记忆体与伺服器用记忆体为主，加上30nm制程落后于韩系厂商，毛利率从上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。
力晶由于标准型记忆体生产多属代工性质，营收较第一季维持一样衰退，25nm制程方面现已进入试产阶段，如顺利最快明年初可以导入量产。华邦虽无标准型记忆体产品产出，但大容量利基型记忆体市场也陷入杀价竞争的困境，营收衰退8.5%左右，获利也小幅下滑至11.2%。
上一篇：Atmel推出全球最具创新性的双引脚自供电串行EEPROM存储器
下一篇：东芝将在闪存峰会上展示最新闪存和存储产品
推荐阅读最新更新时间：2024-05-02 23:52
NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术
――预计2008年底将可推向市场 NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子推出的工艺中，一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺，它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz，同时保持低功耗；另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在线宽从55nm缩小至40nm的CMOS工艺技术的基础上结合了NEC电子原有的eDRAM混载工艺技术而成， 它成功地将DRAM
[新品]
Computex 2021上，美光频频放大招
日前，在Computex 2021，美光一口气发布了四大产品系列升级，涵盖SSD、DDR4以及汽车级存储等领域。 美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，人工智能（AI）和5G正在推动着科技及整个经济的发展，在这其中数据起到了至关重要的作用，而内存和存储技术则是背后发展的核心推动力。 对于存储器公司来讲，如何存储更海量的数据，如何处理更低延迟的数据，则是存储技术始终关注的。 Sumit给出的统计数据显示，近20年间，内存和存储的营收占半导体总营收的比率始终保持增长态势，人均消费量也一直在增长，其背后所蕴含的正是各类电子产品的大量部署，以及存储对经济生产力，个人体验所带来的明显提升。 176层技术
[嵌入式]
DRAM恐长期供给吃紧传客户找美光签长约
DRAM技术往下制程微缩困难，在没有新产能加入下，DRAM产业恐面临长期供货吃紧，而市场也传出记忆体客户为确保未来供货顺畅，再度祭出签订长约策略，尤其是近两年成功收编尔必达(Elpida)、华亚科和瑞晶DRAM产能的美光(Micron)，成为客户积极敲门以长约绑住货源的热门对象，此举也象征过去从2008年起，连续5年低迷的记忆体产业，这次荣景要十倍讨回！ DRAM产业过去曾出现多次客户和记忆体供应商签长约的热门景象，2006年在货源不足的压力下，也传出PC大厂戴尔(Dell)和三星电子(Samsung Electronics)签订9个月的长期供货合约，确保当年底前采购供货无虑。 DRAM产业景气从2012年底开始复甦
[手机便携]
三星考虑明年扩大DRAM产能，恐改变目前供给紧俏格局
集微网消息，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，由于DRAM厂近两年来产能扩张幅度有限，加上制程转换的难度，DRAM供给成长明显较往年放缓，配合着下半年终端市场消费旺季的推波助澜，DRAM合约价自2016年中开启涨价序幕。然而，三星传出在考虑提高竞争者进入门槛的情况下，可能将扩大DRAM产能，恐将改变DRAM供给紧俏格局。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，以主流标准型内存模组(DDR4 4GB)合约价为例，从去年中开始起涨，由当时的DDR4 4GB 13美元均价拉升至今年第四季合约价30.5美元，报价连续六个季度向上，合计涨幅超过130%，带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。截至目前为止，三星
[手机便携]
美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM
美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM 前沿的制程技术使LPDDR5X如虎添翼，现已向移动生态系统出样 2022年11月2日——中国上海——内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布， 其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。 美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据
[嵌入式]
12月全球DRAM投片量近金融风暴低点
DRAM合约价跌跌不休，集邦科技统计，DDR3 4GB模组价格于5月反弹至36.5美元，但随后一路走跌至今，12月最新合约价DDR3 4GB 16.5美元为基准，跌幅达55%，在跌价压力与需求不振驱使下，DRAM厂纷纷启动减产机制或是转型下，预估12月全球DRAM投片量已逼近金融风暴时期低点，有助于价格酝酿触底回升。 根据集邦科技的统计，全球DRAM产业已自2008年全盛时期单月的1,500K投片量下修至2012年最低单月的1,000K左右，投片减幅达33%，且12月的投片量更已经逼近2009年金融风暴时期的投片最低点986K，其中又以台系DRAM厂减幅最高，投片量上从2011年的高点450K至12月仅剩250K投片
[手机便携]
美光认为DRAM价格将持续高位，这是在说电脑还要涨价？
美光2017年第3季财报营收大幅优于预期，这要因DRAM、NAND Flash价格上涨，美光认为存储器产业需求稳定，价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示，国内相关个股中，华邦电目前DRAM产能约22K，估下半年 DRAM价格维持高档，2018年上半年在供给改善后将趋缓，因此维持族群中立建议。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 永丰投顾表示，今年上半年存储器业务需求强劲，DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅，虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求，但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足，预计DRAM报价应会进入高档震荡的态势，加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求
[嵌入式]
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。 进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。 三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产； 而近日据行业消息人士透露，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。 SK 海力士计划提前做好准备，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊
[半导体设计/制造]
嵌入式系统软硬件协同设计教程：基于Xilinx Zynq-7000 (符意德)
控制系统计算机辅助设计 — MATLAB语言与应用
小广播
热门活动
换一批
更多
最新嵌入式文章
- 用FPGA解决高频交易时延问题：AMD推出Alveo UL3422金融专用加速卡AMD正式发布了新一代Alveo UL3422金融科技加速卡，其专为金融行业进行服务，特别为高频交易领域设计。...
- can转485数据是如何对应的CAN（Controller Area Network）是一种用于汽车和工业控制系统的局域网技术，它具有高可靠性、实时性和灵活性。而RS-485是一种串行通信协 ...
- 采集到的can数据后怎么处理CAN（Controller Area Network）是一种用于汽车和工业自动化领域的通信协议。采集到的CAN数据需要经过处理和分析，以便更好地理解通信过 ...
- 如何检测can通讯电路的好坏CAN（Controller Area Network）是一种基于总线通信的局域网技术，广泛应用于汽车电子、工业控制等领域。在实际应用中，CAN通讯电路的好 ...
- can高和can低之间的电阻怎么测量测量CAN总线（Controller Area Network）的高电平和低电平电阻是一项重要的工作，因为它们对于确保CAN总线的正常通信至关重要。1 引言C ...
- 汽车上can高和can低都是多少伏
- can通讯故障快速检测方法有哪些
- can总线的常见故障有哪些
- 如何使用示波器检测CAN总线上的信号
更多精选电路图
更多热门文章
更多每日新闻
更多往期活动
11月13日历史上的今天
厂商技术中心
京公网安备 11010802033920号