推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 01:49
MS8005参数特性介绍 通用8051 Core MCU 256 字节 RAM内核
MS8005 是通用型 1T 8051 Core MCU。在同样的系统时钟下,比传统的 8051 运行更快速,性能更优越,指令代码完全兼容传统 8051;保留了标准 8051 的主要特性,包括 256 字节 RAM和 2 个 16 位定时器;芯片还集成了 2K 字节外部扩展 RAM 和 32K OTP ROM,并且可实现在应用中编程(IAP)功能;集成了 12 位带数字比较功能的 ADC,两个自带波特率发生器的串口,3 路 16 位分辨率的 PWM 等其他丰富的外设资源;MS8005 内部集成了 RC 振荡器(RC16M和 RC40K),看门狗定时器,低电压复位等功能,从而省掉了外部晶振以及复位等外围电路;MS8005 是一颗高性
[单片机]
8GB大内存领衔 华硕ZenFone家族多款新机亮相MWC
MWC 2017大会正在西班牙巴塞罗那如火如荼的进行中,而作为一家国际大厂商华硕肯定不能缺席这场科技盛宴。日前在MWC 2017期间,华硕在自己的展台上展示了包括华硕ZenFone AR在内的多款旗舰手机产品。 华硕多款旗舰手机参展MWC 2017 华硕在年初的CES参展过后,又马不停蹄的杀向巴塞罗那参展MWC 2017,在本次展会中,华硕ZenFone系列众多机型均有所亮相。其中最耀眼的当属刚刚在CES上发布的华硕ZenFone AR。 华硕ZenFone AR是全球首款搭载8GB运存的手机 作为主打产品的华硕ZenFone AR是一款基于谷歌Project Tango技术的手机,利用Google认证设备创造独特的例
[手机便携]
嵌入式实时操作系统的RAM盘扩展
摘要: 介绍了一种在嵌入式实时操作系统内核(以下简称实时内核)上实现RAM盘的方法,配合接受用户命令的Shell任务,可实现嵌入式系统的多任务动态加载和监控,扩展了实时内核的应用领域。实时内核采用目前十分流行的免费内核μC/OS-Ⅱ,硬件不台为通用现场总线控制器系统。
关键词: μC/OS-Ⅱ内核 嵌入式系统 通用现场总线控制器(GPFC) ColdFire
1 嵌入式RTOS
目前,嵌入式RTOS的应用领域越来越广泛。已经有80多个RTOS厂商生产面向8位、16位、32位、甚至64位微处理器的RTOS产品。商业的实时操作系统如VxWorks,pSOS,VRTX,WindowsCE等功能完
[应用]
分析师曝光:iWatch配备8GB存储、512MB内存
网易科技讯 9月5日消息,据国外媒体报道,凯基证券(KGI Securities)分析师郭明池(Ming-Chi Kuo)周四发布新报告,给出了苹果智能手表设备iWatch的具体硬件配置:8GB存储、512MB内存,及1.3英寸和1.5英寸两种尺寸屏幕。 KGI在报告中指出,8GB存储加512MB内存,这样的配置在智能手表中属较高的。而在目前的iPhone中,最低配置也才为16GB存储和1GB内存。因此不难相信,苹果给iWatch的定位是独立于其它iOS设备的。考虑到8GB的存储并不算小,苹果很可能利用这些空间来提供地图缓存和无需连网的语音识别服务。 此外,KGI还相信iWatch将分别提供1.3英寸和1.5英寸两种规格
[手机便携]
内存技术IP进化 LPDDR5潮起
内存技术的进阶就如一道“指挥棒”,指引着应用焕发新生机。随着小米10全球首发LPDDR5成为热点,成功让LPDDR5站上了“热搜”。 作为Low Power Double Data Rate(低功耗内存),小米首发LPDDR成为LPDDR5浪潮兴起的一重浪花,而其必然是内外合力的诉求所致。一方面,AI、5G和云计算等新兴应用带来数据吞吐量的成倍增长,需要更高的内存带宽加以“成全”,成为推动LPDDR向前进阶的驱动力;另一方面,上下游厂商齐齐助力,无论是新思科技(Synopsys)等IP厂商,还是内存厂商如三星、美光以及合肥长鑫等,以及小米、三星等下游厂商,皆协同共促产业链,让LPDDR5发展进入了快车道。随之而来的是,如何选择理想
[手机便携]
ARM Linux (S3C6410架构/2.6.35内核)的内存映射(三)
这里记录一下Linux内核做二级内存映射的过程,以中断向量表的映射过程为例。 在S3C6410架构下,Linux采用的是粗粒度小页内存管理方式,即内存段(section)的大小为1M,而页(page)的大小为4K。在第一级内存映射中,每一个PGD项覆盖1M的内存区域;如果有二级内存映射的话,每一个PTE项覆盖4K的内存区域。 下面我们来看一下二级内存映射表的设计。如果段的大小是1M而页的大小是4K的话,那么每一张二级映射表即页表中就需要有1M/4K=256个表项。而不论是PGD还是PTE,每一个表项的大小是4字节,即一个长整形数的大小。一张页表的大小为256*4=1024/1K字节,所以,页表的大小与页的大小并不能对并,一张4K大
[单片机]
处理器大厂挺LPDDR3加速渗透移动市场
低功耗第三代双倍资料率记忆体(LPDDR3)将加速渗透至行动装置市场。随着LPDDR3价格逐渐降至甜蜜点,加上不少处理器大厂都将在2014年全面支援,行动装置品牌厂扩大采用LPDDR3之意愿已明显攀升,可望加速行动记忆体全面改朝换代。 集邦科技记忆体储存事业处分析师谬君鼎表示,智慧型手机市场渐趋饱和,毛利持续下跌,导致行动装置市场对于内部零组件的成本价格愈来愈敏感,这也将大幅影响到品牌厂采用新一代行动记忆体的意愿。 据了解,2013年LPDDR3初探市场时,其成本相比于低功耗第二代双倍资料率记忆体(LPDDR2)高出约30%,然随着LPDDR3价格逐渐下跌,加上众多处理器大厂将全面支援LPDDR3规格,因此市场预期
[手机便携]
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产,将推整体 HBM 定制服务
4 月 19 日消息,三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于 HBM 内存方面的采访,采访中这两位高管表示,三星计划将 TC-NCF 工艺用于 16 层 HBM4 内存的生产。 TC-NCF 是一种有凸块的传统多层 DRAM 间键合工艺,相较于无凸块的混合键合更为成熟;但因为凸块的引入,采用 TC-NCF 生产相同层数的 HBM 内存会相对更厚。 三星表示,其前不久成功采用 TC-NCF 键合工艺推出了 12 层堆叠的 36GB HBM3E 内存。在该内存生产过程中,三星针对发热进行了结构优化,保证高堆叠层数下 HBM 的可靠性。 除继续使用 TC-NCF 键合外,根据此前报道,未来三星在 HBM4 内存生产中也会应用混合键
[半导体设计/制造]