瑞萨电子新型高压功率MOSFET产品

    高级半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子），于2011年1月12日正式宣布推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）产品。新产品名为RJK60S5DPK，具有极高的效率，能显著降低PC服务器、通信基站以及太阳能发电系统等的功耗。
      
  

    新型高压功率MOSFET  RJK60S5DPK

    作为瑞萨电子高压功率MOSFET系列的首款产品，本次的RJK60S5DPK非常适用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）的电源主开关电路应用。其所采用的高精度超级连接结构（注1），使其实现了高于瑞萨电子现有产品约90%的性能系数（FOM，功率MOSFET产品的重要性能指标）（注2）。

    近年来，为降低能源消耗，电源电路的高效化需求正在不断增长。尤其是平板电视、通信基站、PC服务器、以及太阳能发电系统等高输出功率的电源开关系统，更是对电力转换效率的改善与省电性能提出了更高的要求。因此，功率MOSFET产品也面临着更低的导通电阻（注3）性能需求。然而，功率MOSFET的传统平面结构却限制了产品的完善空间。面对上述课题，本次瑞萨电子尝试将其长期累积的功率器件技术用于功率MOSFET，利用深槽工艺，成功地开发出了高精度超级连接结构，使MOSFET器件的单位面积导通电阻得到了显著的降低。

    新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要优势：

（1）领先业界的低导通电阻

    新型的RJK60S5DPK导通电阻仅为150mΩ（在ID=10A，VGSS=10V情况下的标准值），比瑞萨电子现有同类产品低了约52%，有效改善电源转换时的电力损失。

(2) 高速开关

    影响开关速度的首要、也是最主要的原因是功率MOSFET的驱动器电容。新RJK60S5DPK的驱动器电容（栅电荷Qgd）（注4）比瑞萨电子现有产品降低了约80%，成功实现了6nC（在ID= 10，VGSS=10伏情况下的标准值）的开关速度，实现电源转换效率的显著提升。

    此外，RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了与TO-3P相同外形的标准封装，同时还采用了符合业界标准的引脚配置。这意味着它将非常易于安装在采用传统平面MOSFET器件并备受业内好评的开关电源电路板上。

    相比瑞萨电子原有的平面结构系列产品，采用高精密超级连接结构的功率MOSFET系列产品的单位面积导通电阻降低了约80%。因此，在导通电阻相同的情况下，新产品可帮助芯片产品实现面积的缩小。例如，原先采用TO-3P（15.6mm×19.9mm）封装的产品如采用本次的新功率MOSFET，将可使其封装缩小到TO-220FL（10mm×15mm）。这对今后瑞萨电子推广小型封装产品起到至关重要的作用。

    瑞萨电子计划面向平板电视、通信基站、PC服务器等的开关电源应用，积极推广本次的新产品，以此推动终端产品的节能化发展。今后，瑞萨电子还将继续推出超低导通电阻MOSFET的后续产品，以扩充系列产品线，并积极展开相应的业务扩展。

（注1）超级连接结构：
功率MOSFET的结构配置。不同于传统的平面结构，它使得导通电阻降低而不降低设备的电压容差。这意味着每单位面积上的导通电阻可以减少。 （导通电阻的意义解析详见注3）
（注2）性能系数，或FOM：
功率MOSFET的性能指标，它是导通电阻乘以栅漏电荷电容（Qgd）所获得的数值。
（注3）导通电阻（Ron）：
功率MOSFET运行时的电阻。较低的值表示导通损耗低。
（注4）栅漏电荷电容（的Qgd）：
功率MOSFET运行所需要的电荷。较低的值表示更快的开关性能。

欲了解新型RJK60S5DPK的主要规格，敬请参考产品参数例表。

定价和供货情况

    新型RJK60S5DPK功率MOSFET的样品现已上市，建议零售价为每个US$5。 瑞萨电子计划于2011年4月开始实现该产品的量产，并计划到2011年10月实现月产50万个的目标。（定价和供货情况如有变更，恕不另行通知。）