供应商将氧化物释放技术添加到汽相MEMS

      SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar® SVR-Xe 牺牲性汽相释放(SVR)模块，利  用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物，从而释放MEMS机械结构。

      随着memsstar®系列中增添新型SVR-vHF模块，以及现有SVR-Xe模块，可为器件设计师们提供了更大的自由度，使其可以在特定的器件技术下选择最优的工艺集成方案。在memsstar®基于蒸汽的工艺流程里，在SVR工艺后紧随着由等离子体实现的表面准备和沉积工艺 (SPD)，可保护器件完全不受黏附的影响，从而增加了器件的功能良率。

      这项新工艺在尺寸最高达200mm的晶圆上，实现了无以伦比的蚀刻率和卓越的均匀度。现可提供的配置涵盖了手动装载、单晶圆装载锁定，一直到全流程完全自动化、盒式装载集群系统。

     “MEMS技术日益增长的市场机会，正在对制造商们提出更高的要求，以提供更加多样化的器件，同时提高生产能力、质量和性价比。” Point 35 Microstructures的销售总监Tony McKie说：“汽相工艺对满足这些需求起着至关重要的作用，而且我们完备的SVR工艺组合支持氧化物和硅释放技术，这些将使设计师和制造商们充分认识到MEMS日益广泛的应用中蕴藏的全部市场潜力。”

      与传统的基于湿法化学的蚀刻工艺相比，SVR蚀刻方法以可完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附而著称；它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面，没有任何残留物或水汽，这也省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。

      SVR与CMOS工艺和CMOS晶圆设施是兼容的，这使得MEMS器件可以像传统的集成电路一样在相同的设施和基板上进行生产，这也将适用于新类型的单片MEMS/CMOS 器件。SVR进一步的好处包括减少材料的使用和更低的浪费。