多只二极管取样式电流指示灯

意法半导体 推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。 ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度 作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET晶体管。在大功率设备用功率转换器内，例如高总线电压的电信服务器或数据中心服务器、工业电焊机、等离子发电机、高频

150 W密封TVS解决方案为航空数据网络应用提供终极保护功能 致力于在电源、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频(RF) PIN二极管专门技术，以保护高速数据线路和其它应用，这些应用的电容量严苛要求，大大超过用于保护以太网及速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。 新型1N8149至 1N8182 和 1N8149US

　　 一、二极管的特性 　　二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： 图1、二极管的伏安特性曲线 　　 1、正向特性 　　另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 　 　2、反向特性 　　二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，

半导体二极管又称为晶体二极管．具有明显的单向导电性．是各种电器设备中应用较为广泛的一种半导体元器件，也是日常维修中经常碰到的一种元器件，常见的有普通二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管等。熟练掌握各种二极管的检测是初学者必需的技能，笔者略作总结，供初学者参考。 1．普通二极管的检测 (1)小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅二极管为1kΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十千欧，硅二极管的反向电阻在500kΩ以上(大功率的其值要小些)。 (2)根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的特点可判断二极管的极性。将万用表拨到欧姆挡(一般用Rx100或Rx1k挡．不要用Rx1挡或Rx10k挡。因为Rx1挡使用电流太大，容易

英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率，可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。 TVS二极管对有潜在破坏性的静对地强制放电，从而避免损害脆弱的系统元件，实现静电防护。这一应用的关键性能要求包括，快速响应时间、快速恢复时间，以防止多次同时静电放电造成损害，此外还要经久耐用，长时间保护系统。 双向ESD3V3S1-B系列满足了所有这些要求，其技术规格符合甚或超越了行业标准，包括： - 启动时间短，超低动态电阻（仅0

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。 今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相 全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。 在这些应用里，SiHx21N60EF、

二零一二年十月十八日 -- 中国讯 – 欧司朗光电半导体推出其首个直接发光绿色二极管激光器。推出的两款紧凑型激光二极管的光输出功率分别为 30 和 50 mW，光束质量特别高，代表着智能手机、相机等移动设备专用微型投影仪的发展历程中的一个新里程碑。激光演示、点式激光器和线性激光器的投影单元同样从这项新技术中受益匪浅。 直接发光绿色二极管激光器是通往微型投影仪的重要一步。它的面世意味着，过往需通过加倍扩大红外激光器的频率来产生绿光的传统方式已经成为历史。此外，这项新技术还可以实现较高的显色性和出色的对比度。新款 PL 520 激光二极管的波长为 515 至 530 nm，它可以精确地产生投影应用所需的绿光。它的光输出功率为

中国，2006年12月5日 — 世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)今天推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术，最大通态电阻 RDS (ON) 450 mΩ，该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%，而这一优异特性并不是以牺牲对其