基于LTCC工艺的微型宽带混频器及其应用

LTCC技术采用陶瓷作衬底，形成多层电路。由于电路可以在三维空间进行设计，并且可以嵌入电阻、电容等无源器件，与平面电路(传统的集总电路或微带电路)相比，其体积可以缩小很多倍。

以最新的SM-153+ LTCC双平衡混频器为例，其体积为5.1×4.6×2.1 mm，和通常的场效应管或二极管混频器相比，其体积有明显的减小。和其他的半导体混频器相比，SM-153+ 是无源器件，无须偏置，并且抗静电能力较强。其射频输入的范围是3.4 to 15.0GHz，中频输出范围为DC to 4.5GHz。因为它既可作为下变频器，又可作为上变频器，因此在商用和军事领域都有很广的应用。并且该产品符合RoHS环保标准，可以用于无铅电子系统。

除了二极管以外，整个混频器都使用多层LTCC电路实现的。由于各层之间的连接比较紧密，LTCC电路的稳定性和密封性是与生俱来的。该混频器在设计时就考虑到商用、军用领域可能的温度、湿度、振动和机械冲击等情况。

新型的SIM系列混频器占用的PCB板面积很小，便于焊接和连接。传统的直插式混频器需要在PCB板上打孔，并且还需要螺丝紧固，非常费力。而新型的SIM系列混频器和早期非常成功的MCA1系列相比，其体积缩小了一半。随着单片集成混频器的发展，混频组件逐渐以陶瓷和塑料封装的形式出现。

SIM-153+系列混频器的指标如表1所示，其标称本振功率为+7dBm，但是其本振的功率范围很大，灵活性较好。为了验证其抵抗本振变化的能力，在3组不同本振激励下进行测试。当本证功率大于+7dBm，中频频率为4.5GHz时，变频损耗小于10.5dB。当本振固定在8GHz时，本振幅度的变化对变频损耗有一定的影响，但是，当射频频率在15GHz 且本振电平为 +4、+7和+10dBm时，即使在环境温度变化很大时(-55 to +100°C)，该混频器的变频损耗波动仅为±0.5dB。需要指出的是，这些大温度变化的测试，都是故意为了发现其性能缺陷而设计的，该器件的标称工作温度为-40 to +85°C。

当固定中频，改变本振电平进行测试时发现：SIM-153+混频器在9GHz以下，变频损耗典型值为6dB，在15GHz以下变频损耗典型值为9dB。由于该混频器的中频范围非常大(DC～4.5GHz)，该混频器非常适合多级混频的系统，可以在第一级采用高中频。该混频器具有足够的灵活性，可以把15GHz的微波信号转换到标准的中频(如70MHz)，当然也可以把这样的中频信号转换到微波频段。

端口间的隔离度也是混频器的一项重要参数，在不同的本振电平下测试了该混频器的本振到射频端口的隔离度，在3.4 到 5.0GHz范围内隔离度为40dB，其他频段的隔离度从28 到43dB。对于卫星通讯的3.7到4.2-GHz频段之间的隔离度高达40dB。这样高的隔离度对单边带系统或I/Q调制器/解调器的应用非常有利。对于这种需要匹配度很好的混频器的场合，高隔离度就意味着良好的载波抑制。

LTCC技术不但能保证产品的一致性，还能抵抗频率变化带来的性能漂移。当考验本振到射频端口的隔离度的时候，发现，本振频率从3.5扫描到15.0GHz的时候(温度范围为-55到100°C)，隔离度的变化小于±2dB。

较高的本振到中频端口的隔离度，有助于防止本振信号泄漏到中频频率。如果隔离不好，则会增加后级滤波处理的成本。当本振频率从3.5扫描到15.0GHz，电平分别为+4、+7和+10dBm时，SIM-153+混频器在8GHz附近的隔离度曾一度低至13dB，但是在9GHz以后，隔离度一直保持在19dB以上(三种本振电平下都是如此)。另外在三种不同的温度下测试，隔离度的变化范围小于±1dB。