2014年转型为控股公司的汉磊先进投控,受惠旗下专注晶圆代工业务的汉磊科技、及以磊晶硅晶圆产品为主的嘉晶等两大事业接单畅旺,2017年第4季终获利,带动全年转亏为盈。汉磊投控暨嘉晶董事长徐建华乐观表示,随着汉磊科技产品结构调整收效,嘉晶产能亦满载,汉磊投控首季营收将较2017年同期成长12~15%,毛利率亦将提升至12~13%,全年营收将有两位数成长。市场预期,在比特币挖矿、电动车及数据中心终端市场需求强劲、磊晶硅晶圆供不应求持续带动下,汉磊投控全年营收及获利将逐季走扬,挥别亏损低潮,获利跃升可期。
汉磊投控及旗下嘉晶21日召开法说会,汉磊投控2017年营收达新台币52.74亿元,较2016年43.78亿元成长20.46%,毛利率为11%,税后亏损4,534万元,EPS亏损0.59元,亏损幅度较前3年缩减,当中,第4季EPS终转正缴出0.11元成绩,为挂牌上市以来首次单季获利。展望首季,徐建华表示,汉磊投控营运策略包括产品多元化制程改善、聚焦高成长和利基型应用市场、整合集团资源和强化竞争力,以及持续扩张资本支出以满足客户需求,预期首季营收受到工作天数减少及厂区年度维修影响,季增率约8%,年增率仅12~15%,毛利率略增至12~13%,营益率则为2.5~3.5%。
嘉晶则受惠磊晶硅晶圆供不应求,报价持续调涨下,2017年营收为33.42亿元,毛利率14%,税后净利1.8亿元,EPS为0.74元。嘉晶总经理孙庆宗指出,嘉晶目前产能满载,估计首季营收将较2017年同期成长15~18%,毛利率约在14~16%,营益率为7.5~9.5%之间。市场则预期,2018年硅晶圆仍将是供不应求市况,持续扩充产能的嘉晶,营收将逐季成长,全年营收增幅应可超过20%,不过扩产也导致费用增加,获利贡献暂未能有大跃升,2019年会有较大挹注表现。
以晶圆代工业务为主的汉磊科技,2017年营收为21.45亿元,毛利率为4%,税后亏损1.86亿元,EPS亏损1.2元,较前2年明显收敛。徐建华表示,随着IDM厂需求减少,汉磊全面展开产品结构调整策略,调整期间为填补产能因而承接毛利较低的订单,因此影响获利表现,然随着调整收效,以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为主的化合物,以及TVS、车用等较高毛利产品占营收比重已逐年提升,2018年晶圆代工业务毛利率可望明显改善,逐步摆脱市场价格竞争。市场预期,汉磊科技2018年首季产能满载,来自国际大厂的金氧半场效电晶体(MOSFET)等订单涌入,营收、获利有机会写下单季新高。
徐建华也提到,目前嘉晶产能满载,客户追单非常多,汉磊科技同样亦是订单涌入,整体市场需求非常强劲,如来自车用电子、挖矿、数据中心市场等电源芯片相关需求都超乎预期,乐观看待汉磊投控全年业绩表现。
关键字:MOSFET 磊晶 硅晶圆
编辑:王磊 引用地址:受惠于MOSFET、磊晶硅晶圆需求强劲,汉磊今年获利可期
推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:26
Vishay 推出的下一代D系列MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。
今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接,使栅极电荷比前一代方案低50%,同时提高了开关速度,降低了导通电阻和输入电容。
400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极
[电源管理]
东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线,用于便携终端充电开关
东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”,以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。新产品的特点是都支持大电流,SOT-1220封装产品的最大漏电流为-12A,SOT-563封装产品为-4.8A。据东芝介绍,此次推出新产品的背景是,“随着便携式电子产品的高功能化,电池容量不断增加,同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。
SOT-1220
[模拟电子]
基于漏极导通区特性来理解MOSFET的开关过程
MOSFET 的栅极电荷特性与开关过程 尽管 MOSFET 在 开关电源 、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用,但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解 MOSFET 开关过程,以及 MOSFET 在开关过程中所处的状态。一般来说,电子工程师通常基于栅极电荷理解 MOSFET 的开通的过程,如图 1 所示。此图在 MOSFET 数据表中可以查到。 MOSFET的D和S极加电压为VDD,当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,输入电容Ciss充电,G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏极电流Id ≈0A,没有漏极电流流过,Vds的电压保持VDD不变。 当V
[电源管理]
MOSFET短缺3成 大中涨价提升毛利率
金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)厂大中(6435)总经理薛添福表示,今年下半年MOSFET供给将持续短缺,大中当前产能也相当吃紧,预期目前供货缺口比例达到三成。不过,目前大中在短期内有抢到多余产能,将有助于出货成长。 法人预期,MOSFET市场在缺货效应加持下,大中可望借由产品涨价提升毛利率,第三季获利相较上季有机会明显提升。 大中昨(28)日举行法说会,也是大中挂牌上柜以来首度公开举行业绩说明会。薛添福表示,受惠于车用及工业市场对于MOSFET需求旺盛,带动功率元件市场大幅成长,不过在整体大环境产能有限情况下,国际IDM厂释出的PC供给缺口就成为大中的抢进的利基点。 观察大中今年上半年产品出货的市场占比,当中
[手机便携]
盘点安森美在电动汽车领域的布局
近日,福克斯网站刊登了一篇Patrick Moorhead的文章,详细分析了安森美在电动车领域的布局,尤其是其全面的功率半导体覆盖,给作者留下了深刻的印象。 以下为文章全文: 安森美半导体是我在过去一年中一直密切关注的公司。早在1999年分拆摩托罗拉半导体产品部门时,该公司就为各种行业应用制造了电源和信号管理,分立,逻辑和其他定制器件。最近,它的影响力在于不断增长的汽车电子市场的增长,它是全球十大汽车半导体供应商之一。在未来几十年里,自动驾驶汽车无疑将成为最具影响力的技术之一,因此,我密切关注在这一领域发挥作用的科技公司,但今天我想深入了解安森美半导体正在进行汽车电气化市场。 汽车电子:快速发展的领域 随着汽车变得
[汽车电子]
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备的效率。
Si7157DP适用于笔记本电脑的电源管理中的负载和电池开关。现在的设计师承受着让这些器件更薄更轻的压力,这意味着要减小电池尺寸,进而缩短使用寿命。与此同时,图形处理和Wi-Fi等功能又在增加对电池的使用,使得电源效率成为设计
[电源管理]
Diodes DFN2020封装P通道MOSFET降低负载开关损耗
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。
两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。DMP1022UFDF在-2.5V栅极驱动下的导通电阻少于20m ;DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导通电
[电源管理]
利用MCU的内部振荡器为电源增加智能控制,
传统上,开关电源(SMPS)是用一个基本的模拟控制环路来实现的,但数字信号控制器(DSC)技术的最新发展使得采用全数字控制机制的设计变得非常实用和经济,但是,预计全数字控制技术将最初应用在高端产品中,因为在高端产品中,该技术得好处非常明显和直接。 然而,许多模拟电源应用也能从即使最小、最便宜的微控制器(MCU)所提供的可配置能力和智能中获得很多好处,实际上,在电源中最少可能有4个独立的数字控制阶段,它们是开/关控制,比例控制配置、控制数字反馈或全数字控制,其中开关控制阶段具有一些令人瞩目的优势。 通过使传统开关电源MOSFET驱动器输出无效的开关输入翻转,脉宽调制(PWM)技术可被用来控制电源的工作时间,即缓慢地从0%到100%增加
[电源管理]