瑞萨电子与台积电联手打造微控制器的生态系统

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，董事长：赤尾泰，以下简称“瑞萨电子”） 与台湾积体电路制造（TSMC）（总公司：台湾新竹、日本法人：TSMC日本株式会社、横浜市西区、董事长：小野寺诚、以下简称TSMC）——今天（28日）共同宣布，双方已经签署协议，将在微控制器(MCU)技术方面的合作扩大至40纳米嵌入闪存(eFlash)的制造，以生产应用于下一代汽车及家电等消费类产品的微控制器。瑞萨电子先前已委托TSMC生产90纳米工艺的微控制器，本次合作方案中，瑞萨电子将委托TSMC生产40纳米工艺及更先进生产工艺的微控制器。

结合瑞萨电子支持高可靠性及高速的金属氧化氮氧化硅（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技术与TSMC高品质技术的支持，包括先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）生产与灵活的产能调节的优势。瑞萨电子与TSMC将在MCU平台与制造所需的先进技术上共同合作，以取得世界领先地位。此外，通过将此MONOS生产平台提供给遍布全球的其他半导体供应商，包括无晶圆厂（Fabless）公司及整合元件制造商（IDM），目标是建立一个生态系统，进一步扩大客户群。

基于双方长久稳固的合作关係，TSMC为瑞萨电子提供先进的CMOS工艺和生产制造能力，使得瑞萨得以同时实现高成本效率和高可靠性，并将闪存整合于单一微控制器上。相比于目前的90纳米制造工艺，采用40纳米制造的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势，而且晶片尺寸缩小逾50%，这些特性对于整合型微控制器的设计格外重要，该设计将逻辑晶片、存储器、及其他系统零组件压缩至极小的面积上。

瑞萨电子资深副总裁MCU事业本部长岩元伸一表示，「今后瑞萨电子将以半导体事业全球的增长作为目标，考虑到TSMC在提供产品迅速量产、实时并且大量提供尖端工艺的生产及对市场需求剧烈波动的应对方面的卓越优势。本次与TSMC合作是瑞萨电子努力实现全球市场增长的重要战略。
去年的日本大地震，使瑞萨多条生产线受到冲击，给客户造成了很大影响。为汲取教训，从公司营运持续计划BCP（Business Continuity Plan）出发，瑞萨正在推进晶圆厂网络（Fab Network）的构建。通过此次强强合作发挥两家公司领先世界的技术优势，我们将为客户构建一条稳定可靠的供应链，同时构建引领市场发展的MCU生产生态系统。

台积电公司全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣表示：「瑞萨电子是微控制器市场的领军厂商，通过此次合作，TSMC将为瑞萨电子新的微控制器生产提供必要的性能，同时满足客户对产品高品质、高可靠性的期待方面做出贡献。」

瑞萨电子的MONOS（金属氧化氮氧化硅）嵌入闪存技术

    在闪存单元（Flash Cell）中，每一个硅基（Silicon Base）上的电晶体都是由氧化物、氮化物以及氧化物三层组成，且在上方设有金属控制闸极。瑞萨电子在MONOS闪存技术的应用方面，拥有20年以上的经验，可提供IC卡专用的微控制器。基于在MONOS技术上优异的成绩，瑞萨电子成功地开发出适用于MCU内部闪存的分离闸(Split-Gate, SG)结构，此项新型的SG-MONOS闪存能够实现微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。