晶体管的生产规模已接近天文数字：看摩尔定律的实践

在半导体业界，晶体管和晶体管之间的距离都越来越小。这样，用来连接不同晶体管的细连接线就显露出越来越大的问题。在上个世纪九十年代末期，连接线借助材质从铝向铜的转变才解决了当时的问题，但是现在铜制连接线也越来越不能满足需求了。 由于连接线越来越细，铜线中的电子就开始撞击某些金属原子而发出电子噪音。 英特尔公司正在尝试用碳纳米管来代替铜制连接线。让人欣喜的是，碳纳米管不仅可以导电，而且电阻几乎可以忽略不计，电子在其中移动根本不会受阻或者发散。这就是所谓的“弹道导电(ballistic conductivity)”，许多业内人士认为它将有助于解决晶体管密集情况下的导电问题。 英特尔下一步必须论证它可以大规模生产出同一规格的

在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。据了解，这项发明将有助于我国掌握集成电路的核心技术，让中国的芯片设计和制造能力在国际上去的更多的话语权。 负责该项目的复旦大学教授王鹏飞说：“国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。” 根据王鹏飞教授介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几年的工艺进步，让晶体管的尺寸不断的缩

英特尔宣布以167亿美元收购FPGA生产商Altera。而在台北电脑展上，英特尔高级副总裁施浩德也谈到刚刚完成的收购，他表示，“Altera配合英特尔的业务，协助英特尔发挥摩尔定律的效率”。事实上，这条诞生于50年前的定律仍然在影响今天的英特尔产业决策，其已数字计算转化为创新引擎。     作为出席此次台北电脑展，英特尔职位最高的发言人，施浩德把今年英特尔的技术热点再次做出强调，并发布了一些新的芯片产品。其中包括一个纽扣型的超级电脑原型。他说，“到2020年，电脑会变成纽扣大小，这就是摩尔定律的厉害”。   在本届台北电脑展上，跳票已久的14nm采用Broadwell架构的Core i7处理器得以展示，配合其最新

翻译自——tomshardware 摘要：摩尔定律的核心理念是提高晶体管的密度，现在我们通过并行化或者改进封装来实现。 台积电表示，尽管最近的时代思潮与摩尔定律相反，但摩尔定律依然存在。台积电还展示了一个巨大的2500平方米的硅中介层，包括8个HBM内存芯片和两个大处理器。本文讲述了台积电如何利用多层堆叠的方法来提高芯片性能。 台积电新任全球营销主管Godfrey Cheng在博客中写道：摩尔定律与性能无关，而是与晶体管密度有关。传统的方法，虽然性能是通过提高时钟速度和体系结构来提高的，但今天是通过硅架构创新和计算工作负载的线程化或并行化达到高性能目的，因此这需要增加芯片大小。这就说明了晶体管密度的重要性，因为芯片成本

最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用Vceo或BVceo表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用Vebo或BVebo表示。

　　日本的东芝公司宣布已经为电路设计开发了一项新的紧凑模型，从而可以实现45纳米CMOS工艺中更高的门密度。 　　东芝称通过这项技术，45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍。 　　东芝称其已经开发出一项技术，通过观察电路设计所依赖的因素，能够分别预测每个晶体管的性能。 　　其新技术可以估算每个晶体管的特性参数并将之转化到电路设计中，结果就是：东芝得到了更高的门密度却没有增加设计中不稳定的可能。 　　这项最新的技术是在6月18号的2008年 VLSL（超大规模集成电路）技术讨论大会上公布的。

该机的电源整流电路如下图a所示。 　　电路由灯丝变压器B2、次高压变压器B1和大高压变压器B3供电。 　　开机时，先合上低压开关Kl，接通灯丝变压器B2，使整机所有电子管灯丝通电开始对阴极进行加热。由于+810V大高压由两只汞汽整流管VI、V2(866X2)整流供电，故灯丝必须加热5分钟.才能加高压。 　　加热5分钟后，合上高压开关K2.由双二极电子管Vl(5U4G)将B2次级的470V+470V交流电压整流，经ZL1、C3、C4、c5、C6滤波后输出+436V电压(次高压)，供给推动级(6L6GX2)前置级工作电压。　　高压变压器B3次级920V+920V交流高压经汞汽管V2、V3(866X2)整流.ZL

经过60年的发展，计算机已变得更小更快，价格也越来越便宜。但硅基 晶体管 的尺寸和运算速度已接近极限的边缘，如何使传统计算机突破上述极限，研究人员似乎已计穷智竭。   为了解决这一问题，科学家们开始寻求用基于光子的量子计算机取代传统硅基计算机。量子计算机能更快执行各种复杂计算，研究生物系统，创建加密和大数据系统，解决许多涉及多种变量的难题。   但现有量子计算技术中，一些前沿性研究需要将材料冷却到绝对零度（-273.15℃）左右，这阻碍了量子计算机从理论到实用的进程。美国斯坦福大学电子工程系教授伊莲娜·沃科维克带领其团队，近日分别在杂志上发表了3篇论文，宣称他们已经研制出能在室温下操作的量子 芯片 材料，包括一种 量子点 、二种“