推荐阅读最新更新时间:2024-10-11 14:01
Microchip为Mersen SiC提供碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器 电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市 电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布与Mersen合作推出150千伏安(kVA)三相碳化硅电源协议栈参考设计。Mersen是一家为包括电动出行和能源储存在内的众多工业行业提供电源管理解决方案的全球供应商。 Mersen的三相碳化硅电源协议栈参考设计为系统设
[电源管理]
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第2部分
无刷直流电机很酷(可以帮您结交朋友)。 没有人喜欢谈论实际的硬件(但是我打算这么做)。 分立式和集成式栅极驱动器各有优缺点。 我可以整天谈论功能和优点,但工程师想看的是一些真正的电路。在这篇博文中,我将直接比较分立式和集成式栅极驱动架构,展示两者的电路板级差异。 原理图和布局比较的两个关键指标是组件数量和解决方案尺寸。第一个度量标准是: 元件数量。这在原理图完成后可以相对容易地找到。然而,解决方案尺寸的估算更加复杂。我经常看到在集成电路元件尺寸上简单标注的解决方案尺寸。但是我发现这其实非常不准确,因为它并未考虑外部元件、元件与电路板上的布线之间需要的间隙。 我在本地设计软件上花费了一些时间,为无刷直流电机驱动器
[工业控制]
意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器 采用窄型 SO-8 封装
意法半导体的 STGAP2SiCSN是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器,采用节省空间的窄体 SO-8 封装,具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。 SiC 功率技术被广泛用于提高功率转换效率,SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计,节省空间,并增强稳健性和可靠性。目标应用包括电动汽车充电系统、开关式电源、高压功率因数校正器 (PFC)、DC/DC 变换器、不间断电源 (UPS)、太阳能发电、电机驱动设备、风扇、工厂自动化、家用电器 、电磁炉。 STGAP2SiCSN 在栅极驱动通道和低压控制之间有电流隔离,在高压轨上可以耐受高达 1700V 的电压。输入到输出传播时
[汽车电子]
Cissoid宣布推出车用1.2kV三相SiC功率桥
比利时Hi-rel Cissoid宣布推出一种1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模块,该模块适用于汽车等应用。 Cissoid首席执行官Dave Hutton表示:“开发和优化快速开关SiC电源模块并可靠地驱动它们仍然是一个挑战,这款SiC智能电源模块是针对极端温度和电压环境开发电源模块和栅极驱动器的多年经验的成果。有了它,我们很高兴支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。” Cissoid声称,在600V 300A时,导通电阻为3.25mΩ,开关损耗为8.3mJ导通和11.2mJ截止,与IGBT电源模块相比,损耗至少降低了三倍。 AlSiC针翅式基板经过水冷,结到流体的热阻为0.15°C / W。在结点和-40°C
[汽车电子]
CISSOID推出一款适合高功率密度应用的隔离式栅极驱动器
比利时、蒙-圣吉贝尔 2015 年 3 月 24 日。高温及长寿命半导体解决方案领导者 CISSOID 公司推出第二代 HADES ,一款高度集成的隔离式栅极驱动器产品。 HADES 旨在面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器应用。 凭借 CISSOID 产品无与伦比的耐用性,栅极驱动器 HADES 在严酷的环境下可实现更高可靠性和更长的使用寿命,从而满足系统设计者对航空、汽车、工业、石油和天然气市场的应用需求。 HADES 包括气密性陶瓷封装和塑料封装两种,前者可以在温度最高达 225 C 的极端温度应用中使用,后者适用于温度不超
[工业控制]
ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器
Analog Devices, Inc. (ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出 ADuM4135 隔离式IGBT栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。 单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的 i Coupler 数字隔离器技术,通过成熟的电流隔离技术来确保安全性和可靠性,同时实现业界最佳的特性组合 CMTI(共模瞬变抗扰度)为100 kV/ s且传播延迟为50 ns(典型值)。 利用ADuM4135,客户产品将符合IE3和IE4电机效率标准,从而与电机控制和电网逆变器均转向更高频率切换技术的业界趋势保持一致。 安全特性包括集成米勒箝位和去饱和检测。 下载
[电源管理]
东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器
东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司2014年10月27日宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路,与东芝的传统产品相比,工作电压更低 ,为VDD(opr)= 5至18V。即日起可供货。 新产品主要规格 BiCD 0.13μm工艺 供电电压:VDD(opr)=5至18V 内置过流保护功能 内置过流诊断功能 输出电压 VOUT=VDD + 8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100µA,Tj=-40至125°C VOUT=VDD + 10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT
[模拟电子]
CISSOID栅极驱动器为Wolfspeed SiC功率模块提供可靠保障
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布,为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器提供支持,可以安全地驱动快速开关碳化硅功率模块以实现低损耗,同时可以在空间受限的电机驱动器、紧凑型电源或快速电池充电器内部的高温环境中运行。 CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源(且无需降低高达125°C的额定环境温度),该栅极驱动器可以驱动频率
[半导体设计/制造]